電子芯片（CPU、MCU、功率器件等）在封裝、運(yùn)輸及應(yīng)用中常面臨 - 40℃~125℃驟變溫沖擊，易引發(fā)封裝層開裂、焊點(diǎn)脫落、電學(xué)參數(shù)漂移等失效。兩箱冷熱沖擊試驗(yàn)箱通過(guò)高溫（≤200℃）、低溫（≥-80℃）雙箱快速切換（轉(zhuǎn)移時(shí)間≤30s），模擬溫變工況，精準(zhǔn)評(píng)估芯片可靠性，本文依據(jù) JEDEC JESD22-A104、IEC 60068-2-14 標(biāo)準(zhǔn)梳理核心要點(diǎn)。

試驗(yàn)箱需校準(zhǔn)：溫度范圍 - 80℃~200℃，溫變速率 5~15℃/min（誤差 ±0.5℃/min），溫場(chǎng)均勻性 ±1℃；配備半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、X 光焊點(diǎn)檢測(cè)儀、防靜電工裝。樣品取同批次 50 顆芯片（30 顆測(cè)試組、20 顆基準(zhǔn)組），覆蓋 QFP、SOP 等主流封裝。預(yù)處理：23℃±2℃環(huán)境靜置 24h，測(cè)初始漏電率、閾值電壓；全程防靜電（接地電阻≤4Ω），剔除初始失效芯片（良率≥98%）。用帶探針的專用工裝固定，確保引腳接觸穩(wěn)定。